این شرکت در طول سال‌های اخیر در تولید قطعات نیمه‌هادی بسیار فعال بوده؛ به‌گونه‌ای که در حال حاضر میزان سرمایه‌گذاری TSMC در بخش تحقیق و توسعه‌ی تراشه‌های سیلیکونی حتی از رقیب پرآوازه‌ خود یعنی اینتل هم بیشتر است.
تازه‌ترین تلاش TSMC برای تسخیر دنیای تراشه‌های سیلیکونی را می‌توان در ساخت کارخانه‌ای برای تولید انبوه تراشه ۳ نانومتری مشاهده کرد؛ هدفی که قرار است در سال ۲۰۲۳ میلادی به انجام برسد. البته فرایند تولید نسل جدید نیمه‌هادی و تراشه سیلیکونی این شرکت تایوانی از سال ۲۰۲۲ آغاز می‌شود و یک سال پس از آن شکل کاملا تجاری به خود می‌گیرد.

برای ساخت کارخانه‌ی تولید تراشه ۳ نانومتری، TSMC زمینی به مساحت ۳۰ هکتار را در بخش جنوبی پارک علم و فناوری تایوان خریداری کرده است. همچنین در حال حاضر ده هزار نفر برای کار در این کارخانه استخدام شده‌اند. بنابراین برنامه‌های TSMC برای تولید انبوه نسل جدید نیمه‌هادی سیلیکونی خود در طول سه سال آینده کاملا جدی به نظر می‌رسد.

محلی که برای تولید انبوه تراشه ۳ نانومتری TSMC در نظر گرفته شده، تقریبا همان مکانی است که تراشه ۵ نانومتری این شرکت در آن تولید می‌شود. در مجموع قرار است سرمایه‌ای حدود ۱۹/۵ میلیارد دلار برای انجام این پروژه صرف شود. باتوجه به عملکرد مثبت مالی TSMC در طول چند سال اخیر، تکمیل چنین پروژه‌های پرهزینه‌ای چندان عجیب یا بلندپروازانه به نظر نمی‌رسد.

این شرکت تایوانی در سه ماهه‌ی سوم سال مالی ۲۰۱۹ موفق به کسب درآمد خالص ۹/۳۹۶ میلیارد دلار شد. درحالی‌که درآمد خالص سه چارک نخست امسال این شرکت ۲۴/۲۳۸ میلیارد دلار بوده است؛ رقمی که رشد یک‌ونیم درصدی را براساس مقیاس سال به سال نشان می‌دهد.

در طول این مدت سهم تراشه ۷ نانومتری TSMC از کل فروش محصولات نیمه هادی آن ۲۷ درصد بوده است. سهم تراشه ۱۰ نانومتری و ۱۶ نانومتری این شرکت از کل فروش محصولات نیمه رسانا هم در طول بازه زمانی مشابه به ترتیب ۲ درصد و ۲۲ درصد اعلام شده است. همچنین سهم تراشه‌های سیلیکونی پیشرفته از درآمد محصولات نیمه رسانا TSMC در طول سه ماهه‌ی مالی نخست امسال هم ۵۱ درصد اعلام شده است. تراشه‌های مذکور مدل ۱۶ نانومتری و بالاتر از آن را در بر می‌گیرد.

به‌طور حتم این اعداد و ارقام اعتماد به نفس بیشتری به TSMC برای آغاز پروژه‌ی تولید تراشه ۳ نانومتری می‌دهد. در ساخت این تراشه قرار است از تکنولوژی لیتوگرافی ماورابنفش حداکثری یا EUV استفاده شود. این شرکت تایوانی پیش از این در فرایند‌ی ساخت نیمه هادی ۵ نانومتری و ۷ نانومتری پلاس خود هم از همین تکنولوژی بهره گرفته بود.